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jet300nt程序調(diào)試及原理

日期:2025-06-30 23:50
瀏覽次數(shù):3585
摘要:

jet300nt程序調(diào)試及原理
FET可分為二種:a. JFET、b. MOSFET 空乏型及增強(qiáng)型。
a. MOSFET增強(qiáng)型如圖:
程式設(shè)定如下:
Device
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
A
B
G1
Q1
0
0.7V
30%
30%
DT
3
2
 
Q1
0.2
3V
10%
70%
N
2
3
1

控制閘極(gate)電壓由2V~3V直到導(dǎo)通為止,即可測試出來。
b. JFET. MOSFET空乏型

程式設(shè)定如下:
Device
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
A
B
G1
Q1
3
3V
30%
30%
PF
2
2
1
Q1
0.2
01V
30%
90%
N
2
3
1

控制閘極(gate)電壓直到夾止。

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 2. 試問如何用三端點(diǎn)量測法來測試電晶體 ? 
日規(guī)電晶體量測只須量BC、BE兩端之二極體,就可量測到是否空焊反接(如程式1、2項(xiàng)),但美規(guī)電晶體由於Base腳在中間,因此須用三端點(diǎn)來量測 (程式第3項(xiàng)),才能偵測到反接的問題。

程式設(shè)定如下
STEP
Device
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
A
B
G1
1
Q1
0
0.7V
30%
30%
DT
1
2
 
2
Q1
0
0.7V
30%
30%
DT
1
3
 
3
Q1
0.2V
1V
10%
-90%
N
2
3
1

控制基極(B)電壓,使電晶體飽合。

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 3.試問電容、電阻、電感、二極體在何種情形下無法量測 ? 

Paralleled
R1
L1
C1
D1
R2
1
2
3
4
L2
2
5
6
7
C2
3
6
8
9
D2
4
7
9
10

  1. 當(dāng)R1>10R2,R1無法量測
  2. 當(dāng)XL>10R2,L無法量測; XL=2πfL.
    當(dāng)R2>10XL,R2無法量測.
  3. 當(dāng)電容值較大時(shí),量R需增加Delay或用CV MODE,當(dāng)10R2<Xc,C無法量測.
  4. 當(dāng)R2>10時(shí),D反向時(shí)可偵測,否則無法量測.
  5. 當(dāng)L2>10L1,L2無法量測.
  6. 當(dāng)10XL<Xc,C無法量測,當(dāng)10Xc<XL,L無法量測.
  7. 當(dāng)RL (即電感內(nèi)直流電阻)<10時(shí), D無法量測.
  8. 當(dāng)C2>10C1時(shí),C1不可測,注意此特性與R、L相反.
  9. 當(dāng)電容值較大時(shí),量D需加Delay,量C時(shí)需注意方向性.
  10. 當(dāng)D1, D2同向並聯(lián)時(shí),必須用CM MODE,否則無法量測.
     

 4. 試問JET-300可否擴(kuò)充成雙壓床 ? 
可。只須將程式JET300N.EXE RENAME成JET300D.EXE。再將MotherBoard上ReTest跳線拿掉,機(jī)器便可使用雙壓床。

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 5. 如何判斷TestJet硬體本身好壞或裝配是否良好 ? 
量Testjet sensor plate 二端, 先到編輯程式將cursor移至待測sensor plate測試項(xiàng)目,按F9

 1.當(dāng)Vdc=0V時(shí), 可能:
  a. 探針號碼設(shè)定有誤
  b. SYSTEM BOARD,MULTIPLEX BOARD 或.CABLE**
  c. 有斷線現(xiàn)象
 2.當(dāng)Vdc=5V時(shí),sensor plate有斷開現(xiàn)象
 3.當(dāng)Vdc=0.7V時(shí),sensor plate有裝反現(xiàn)象
 4.當(dāng)Vdc=4.5V時(shí),sensor plate裝配正常. 如果sensor的量測不正常, 則應(yīng)是sensoramplifier損壞.
 

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 6.試問壓床的蜂巢板壓下後不會自動測試是那裡有問題 ? 

 1. 程式狀態(tài) (status)下未設(shè)定自動 (Fix auto ON)
 2. 氣壓缸上底部的近接開關(guān)未調(diào)整定位
 3. SYSTEM BOARD、CABLE或光電控制板**
 4. 壓床控制線鬆動
 

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 7. 試問小電阻如何量測 ? 

一般小電阻量測(0.1Ω~2Ω),可以把它當(dāng)成JUMPER的方式測量但只可量測有無缺件. 若需較精確的量測,就須用四端量測.原理如下:


 

信號源和量測各有自己的回路,因此可準(zhǔn)確量測RX上的壓降。


應(yīng)用:小電阻如 0.1Ω~10Ω,小電感,小電容量測時(shí)會受到 cable 和探針接觸**的影響,而造成測試不穩(wěn),而四線量測就可以解決這些問題。
由二線式改為四線式量測法的修改說明如下:

 a. relay board需做以下修改,JA, JB, JC 跳線拿掉, 使之開路OPEN。
 b. JA0, JA1, JA2, JA3, JB0, JB1, JB2, JB3, JG0, JG1, JG2, JG3
  原本短路情況為 
  將其斷開,短路另一側(cè)。
          
 c. 此時(shí)Relay board只剩下32點(diǎn), 因?yàn)?*連接器已被當(dāng)成sense使用。
 d. 程式方面須做如下設(shè)定:
Device
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
A
B
G
R1
 
0.1
30%
30%
D1
1
2
 

 e. 在此設(shè)定下,電阻值*小可量測到0.01Ω。

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 8. 試問 JET-300 可否可做 Functional test? 

可。目前本公司只提供+5V、-5V、+12V、+3.3V。

硬體方面, 治具須追加一個molex 7 pin母座之轉(zhuǎn)換板,以做為插槽之用,程式方面則須做以下設(shè)定。
STEP
Device
Lc
STD
ACT
+%
-%
MD
TM
A
B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F
G
E
1
Vcc
A1
5
0V
5
5
HV
10
2
5
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
2
Vcc3
A1
3.3
0V
5
5
HV
0
10
5
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
3
END
A1
1
0V
5
5
HV
10
2
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1

在程式編輯下按"ALT+K"會顯示編輯Relay碼。將STEP 2之第4及e填入1,
並將 Relay 開啟送出所需電源。量完須關(guān)閉電源。 (如STEP3)

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 9. 試問二個並聯(lián)二極體 (如下圖) 如何量測 ? 

二極體並聯(lián)須用CM mode 量測。程式須設(shè)定如下:
 
STEP
Device
Lc
STD
ACT
+%
-%
MD
RG
TM
A
B
1
D1
A1
0
0.7V
30
30
DT
0
0
10
20
2
D1
A1
40mA
0.7V
10
10
CM
0
0
10
20

STEP2須加電壓(ACTVAL) 0.6V左右,調(diào)整ACTVAL電壓使其電流量到約40mA。

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 10. 試問Debug RelayBoard出現(xiàn)錯誤訊息時(shí), 如何判斷那塊板子的那個Relay 有問題 ? 

茲舉例說明之:
 

Open on B130 (B3: P2)

意指B開關(guān)第3片板的第2點(diǎn)B Relay損壞,因此只要將該Relay換掉即可。

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 11. 電容極性如何量測 ?  

(1)漏電流量測:
 假設(shè)C1為100uF25V,將程式修改為STEP 2,按F9測試量測電容之正常漏電流,
 並將它填入STDVAL,如果C1反向則漏電流會增大
STEP
DEVICE
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
A
B
1
C1
0
100uF
30
30
DT
10
20
2
C1
1.4mA
10V
30
30
CM
10
20

 註:每個電容值耐壓都有不同,所以在ACTVAL之電壓是不一定的。

(2)三端點(diǎn)量測:
 此方法用於量測電解電容,此量測法須於電容上端栽針(如圖),程式修改如下:
STEP
DEVICE
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
T
A
B
G
3
C2
0
10uF
30
30
DC
0
10
20
0
4
C2
0.1
0.2V
30
0
LV
10
30
10
20

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 12. 如何量測電晶體β值 ?  

NPN電晶體:
 A點(diǎn)接Q3~c,B點(diǎn)接Q3~e,G1點(diǎn)接Q3~b
 ACTVAL 送出Vb電壓(0~5V);MD為N,RG為+1,STDVAL填入β值,調(diào)整Vb電壓,
 使其讀到之β值為*大*穩(wěn)定如( STEP 1 )
PNP電晶體:
 A點(diǎn)接Q4-e,B點(diǎn)接Q4-c,G1點(diǎn)接Q4-b
 ACTVAL送出Vb電壓(5~0V);MD為P, RG為+1,STDVAL填入β值,調(diào)整Vb電壓,
 使其讀到之β值為*大*穩(wěn)定( STEP 2 )
 
STEP
DEVICE
LC
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
RG
TM
A
B
G1
G2
1
Q3
D1
100
1.0V
30
30
N
1
5
2
3
1
0
2
Q4
D1
100
4.1V
30
30
P
1
5
2
3
1
0

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 13.如何量測主機(jī)板上電源穩(wěn)壓IC之輸出電壓 ?  

首先需要外加電源, 機(jī)器的修改方法如附圖A。
 a. 治具追加一個有Molex 7 pin母座之轉(zhuǎn)換版。
 b. Pin 1 (輸出為5V)接至 NET NAME 為 VCC的探針 (預(yù)設(shè)為2號探針)。
 c. Pin 2 (為電源輸出的GND)接至 NET NAME 為GND的探針 (預(yù)設(shè)為5號探針)。
 d.Pin 7(輸出為3.3V) 接至 NET NAME 為VCC3的探針 (預(yù)設(shè)為10號探針)。
 e. 參考附圖B及下列程式, 便可測試其電源穩(wěn)壓IC之輸出電壓VCC2, VTT。
 
STEP
Device
Lc
STD
ACT
+%
-%
MD
RG
TM
A
B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F
G
E
1
Vcc
A1
5
0V
10
10
HV
0
10
2
5
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
2
Vcc3
A1
3.3
0V
10
10
HV
0
0
10
5
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
3
END
A1
12V
0V
5
5
HV
0
0
15
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
4
+12V
A1
2.5
0V
5
5
HV
0
0
80
5
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
5
V2.5
A1
2.1
0V
5
5
HV
0
0
99
5
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
6
VTT
A1
1mA
0.1V
00
00
CM
0
10
2
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
7
END
A1
1mA
0.1V
00
00
CM
0
10
2
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
8
END
A1
0.1
0V
10
00
HV
0
10
2
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
9
END
A1
1mA
0.1V
00
00
CM
0
10
10
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
10
END
A1
0.1
0V
10
00
HV
0
10
10
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
11
END
A1
1mA
0.1V
00
00
CM
0
10
15
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
12
END
A1
0.1
0V
10
00
HV
0
10
15
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1

 假設(shè)STEP 8, 10 和12未放它至0.1V以下, 須增加STEP 7, 9 和11的TM值,
 繼續(xù)量測直到STEP 8, 10 和12的STD 值至0.1V以下

jet300nt程序調(diào)試及原理

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